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OSI Optoelectronics砷化鎵光電二極管技術指導

    

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品牌OSI Optoelectronics 有效期至長期有效 最后更新2022-04-11 14:32
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OSI Optoelectronics砷化鎵光電二極管技術指導

OSI Optoelectronics砷化鎵光電二極管技術指導

王子豪
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三、砷化鎵光電二極管
 
1、GaAs光電二極管陣列
 
產(chǎn)品介紹：
 
FCI-GaAs-XXm是4或12元件GaAsPIN光電探測器陣列，專為高速光纖接收器和監(jiān)控應用而設計。70µm直徑的元件能夠實現(xiàn)2.5Gbps的數(shù)據(jù)速率。該陣列鍍有增透膜，對電信波長敏感，是250µm間距的SM或MM光纖帶的完美接收器。FCI-GaAs-XXM是環(huán)繞式陶瓷底座的標準配置。
 
板級觸點的間距為0.5毫米。
 
2、GaAs光電二極管放大器混合器
 
FCI-H125/250G-GaAs-100系列有源面積為100µm，是我們的高速GaAs光電探測器與寬動態(tài)范圍跨阻放大器的緊湊集成。將探測器與TIA結合在一個密封的4針TO-46或TO-52封裝中，為高速信號放大提供了理想條件。650nm至860nm的低電容、低暗電流和高響應度使這些器件成
 
為LAN、MAN和其他高速通信系統(tǒng)中使用的高比特率接收器的理想選擇。TO封裝標配有透鏡帽以提高耦合效率，或帶有寬帶雙面AR涂層平面窗口。FCI-H125/250G-GaAs-100系列還提供FC、SC、ST和SMA插座。
 

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