behlke高溫超導(dǎo) 81-06-GSM開(kāi)關(guān)用于實(shí)驗(yàn)室
behlke hts 81-06-gsm
技術(shù)數(shù)據(jù):
最大工作電壓 2*8000 2*15000
最小工作電壓 0 0
典型 2*18000
電隔離 20000
峰值電流能力 40000
聯(lián)系負(fù)載電流 2*60 2*30
離態(tài)電流 2*0.91 2*0.41
傳播延遲時(shí)間 150
典型輸出轉(zhuǎn)換時(shí)間 400
最小輸出脈沖寬度 0.1
最大輸出脈沖寬度 2
最小脈沖間距 10
典型輸出脈沖抖動(dòng) 10
連續(xù)切換頻率 2*15
最大突發(fā)頻率 2*20
最大持續(xù)功率 2.150
線(xiàn)性降額 2*3.33
溫度范圍 -40-70
behlkeHTS-GSM 系列的開(kāi)關(guān)模塊由兩個(gè)相同的 MOSFET 開(kāi)關(guān)路徑組成,分別形成所謂的哈利橋電路和推挽電路。behlkeHTS-GSM 系列兩個(gè)開(kāi)關(guān)路徑由一個(gè)公共驅(qū)動(dòng)器控制,該驅(qū)動(dòng)器還為其中一個(gè)開(kāi)關(guān)提供邏輯信號(hào)否定。推挽電路不需要大的儲(chǔ)能電容器來(lái)實(shí)現(xiàn)低脈沖壓降,并且由于沒(méi)有工作電阻功率損耗,因此無(wú)論脈沖寬度、頻率和占空比如何,推挽式脈沖發(fā)生器的效率都非常出色。脈沖發(fā)生器僅汲取電流以對(duì)連接的負(fù)載電容充電。由于開(kāi)關(guān)的時(shí)序極其精確,除了開(kāi)關(guān)自然電容的峰值充電電流外,電橋中也幾乎沒(méi)有交叉電流。
behlke HTS 81-06-GSM 2*8KV /60A
behlke HTS 151-03-GSM 2*15KV /30A
張曼麗
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behlke HTS 40-1000-SCR,4KV 10000A
behlke HTS 60-1000-SCR,6KV 10000A
behlke HTS 60-100-SCR,6KV 1000A
behlke HTS 60-200-SCR,6kv 2000A